Результаты поиска
1
742
Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36..
108 ₽
От 10шт. — 105 ₽
От 100шт. — 101 ₽
1
638
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИ..
66 ₽
От 10шт. — 60.3 ₽
От 100шт. — 57.3 ₽
От 500шт. — 56 ₽
1
9831
Модуль 4-х полевых транзисторов IRF540 предназначен для управления 4 н..
210 ₽
1
2566
Модуль на базе MOSFET транзистора LR7843 с опторазвязкой PC817. Отлично упр..
134 ₽
От 10шт. — 129 ₽
От 50шт. — 119 ₽
От 100шт. — 102 ₽
1
5301
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, сп..
494 ₽
1
4962
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelec..
27.7 ₽
От 10шт. — 25.5 ₽
От 50шт. — 22.2 ₽
1
4963
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelec..
27.7 ₽
От 10шт. — 25.5 ₽
От 50шт. — 22.2 ₽
1
218
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельна..
4.06 ₽
1
4887
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100..
3.02 ₽
1
4965
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60..
27.7 ₽
От 10шт. — 24.3 ₽
От 50шт. — 21.1 ₽
От 100шт. — 16.8 ₽
1
2655
Транзистор NPN, 0.1А 250В BF258, производства STMicroelectronics...
22.2 ₽
1
2669
Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 ..
22.2 ₽
1
4888
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla.Характеристики..
55 ₽
1
2654
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более:&nbs..
49.4 ₽
1
211
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПред..
3.02 ₽
От 100шт. — 2.53 ₽
От 1000шт. — 1.22 ₽
1
2653
Характеристики:Корпус: TO-218Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощно..
102 ₽
1
4882
Надежный NPN транзистор производства STMicroelectronics.Характеристики..
27.7 ₽
От 10шт. — 22.2 ₽
От 100шт. — 20 ₽
От 250шт. — 16.8 ₽
1
744
Характеристики:Структура транзистора: PNPМакс. напр. к-б при заданном обрат..
22.2 ₽
От 10шт. — 18.9 ₽
От 100шт. — 16.8 ₽
От 1000шт. — 14.5 ₽
0
2565
Модуль на базе MOSFET транзистора D4184 с опторазвязкой PC817. Отлично упра..
134 ₽
От 10шт. — 129 ₽
От 50шт. — 119 ₽
От 100шт. — 102 ₽
0
2567
Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично упр..
145 ₽
От 10шт. — 140 ₽
От 50шт. — 129 ₽
От 100шт. — 112 ₽
0
223
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..
3.02 ₽
От 10шт. — 2.53 ₽
От 1000шт. — 1.22 ₽
0
599
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..
3.02 ₽
От 10шт. — 2.53 ₽
От 100шт. — 2.14 ₽
От 1000шт. — 1.34 ₽
0
216
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..
4.06 ₽
От 10шт. — 3.02 ₽
От 100шт. — 2.42 ₽
От 1000шт. — 2.24 ₽
0
217
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельна..
3.02 ₽
От 100шт. — 2.53 ₽
От 1000шт. — 1.22 ₽
0
886
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..
4.06 ₽
От 10шт. — 3.02 ₽
От 100шт. — 2.24 ₽
От 1000шт. — 2.04 ₽
0
222
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельна..
3.02 ₽
От 100шт. — 2.53 ₽
От 1000шт. — 1.22 ₽
0
210
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..
3.02 ₽
От 100шт. — 2.53 ₽
От 1000шт. — 1.22 ₽
0
683
Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..
27.7 ₽
От 10шт. — 22.2 ₽
От 100шт. — 21.1 ₽
От 1000шт. — 20 ₽
0
4907
Характеристики:Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мо..
78.2 ₽
0
2169
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельна..
4.06 ₽
Показано с 1 по 30 из 54 (всего 2 страниц)