Результаты поиска
1
742
Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36..
80 ₽
От 10шт. — 64 ₽
От 100шт. — 60 ₽
1
2567
Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично упр..
120 ₽
От 10шт. — 94 ₽
От 100шт. — 90 ₽
1
638
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИ..
66 ₽
От 10шт. — 56 ₽
От 100шт. — 52 ₽
От 500шт. — 48 ₽
1
9831
Модуль 4-х полевых транзисторов IRF540 предназначен для управления 4 н..
240 ₽
1
2566
Модуль на базе MOSFET транзистора LR7843 с опторазвязкой PC817. Отлично упр..
120 ₽
От 10шт. — 94 ₽
От 100шт. — 90 ₽
1
5301
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, сп..
494 ₽
1
11032
Измеритель LCR-TC1 можно широко использовать для обнаружения транзисторов N..
1590 ₽
1
223
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..
3.02 ₽
От 10шт. — 2.53 ₽
От 1000шт. — 1.22 ₽
1
216
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..
4.06 ₽
От 10шт. — 3.02 ₽
От 100шт. — 2.42 ₽
От 1000шт. — 2.24 ₽
1
217
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельна..
3.02 ₽
От 100шт. — 2.53 ₽
От 1000шт. — 1.22 ₽
1
886
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..
4.06 ₽
От 10шт. — 3.02 ₽
От 100шт. — 2.24 ₽
От 1000шт. — 2.04 ₽
1
222
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельна..
3.02 ₽
От 100шт. — 2.53 ₽
От 1000шт. — 1.22 ₽
1
683
Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..
27.7 ₽
От 10шт. — 22.2 ₽
От 100шт. — 21.1 ₽
От 1000шт. — 20 ₽
1
4907
Характеристики:Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мо..
78.2 ₽
1
4962
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelec..
27.7 ₽
От 10шт. — 25.5 ₽
От 50шт. — 22.2 ₽
1
4963
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelec..
27.7 ₽
От 10шт. — 25.5 ₽
От 50шт. — 22.2 ₽
1
218
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельна..
4.06 ₽
1
2169
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельна..
4.06 ₽
1
219
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..
4.06 ₽
1
4887
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100..
3.02 ₽
1
2655
Транзистор NPN, 0.1А 250В BF258, производства STMicroelectronics...
22.2 ₽
1
2669
Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 ..
22.2 ₽
1
4888
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla.Характеристики..
55 ₽
1
2654
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более:&nbs..
49.4 ₽
1
617
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики:Структура: n-каналМаксимальное на..
42 ₽
От 10шт. — 34 ₽
От 100шт. — 32 ₽
1
618
MOSFET транзистор IRFZ44NPBF. Характеристики:Структура: n-каналМаксимальное..
40 ₽
От 10шт. — 26 ₽
От 100шт. — 24 ₽
1
221
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..
7 ₽
От 10шт. — 5 ₽
От 1000шт. — 3.7 ₽
1
600
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельна..
3.02 ₽
От 10шт. — 2.64 ₽
От 100шт. — 2.64 ₽
От 1000шт. — 1.72 ₽
1
214
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..
3.02 ₽
От 100шт. — 2.53 ₽
От 1000шт. — 1.22 ₽
1
215
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельна..
3.02 ₽
От 10шт. — 2.53 ₽
От 1000шт. — 1.22 ₽
Показано с 1 по 30 из 57 (всего 2 страниц)
.jpg "RoboShop"){kind=logo}
-228x228.jpg "Тестер радиокомпонентов LCR-TC1")
-228x228.jpg "Транзистор BC160-10 (PNP,1А, 40В)")
