Транзистор MOSFET IRF640NPBF (n-канал, 18А, 200В)
Артикул: 1002794
- Нашли дешевле?
-
- 10 или более: 44 ₽
- 100 или более: 42 ₽
- В наличии: 90
MOSFET транзистор IRF640N.
Характеристики:
- Структура: n-канал
- Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
- Максимальный ток сток-исток при 25 С: 18 А
- Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 Ом
- Максимальная рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Крутизна характеристики: 6.8
- Корпус: TO-220
- Пороговое напряжение на затворе: 2…4 В
Рекомендуемые товары
Модуль MOSFET транзистора IRF520 (силовой ключ)
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИ..
66 ₽
Транзистор 2SC5707 (NPN, 8А, 50В)
Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..
27.7 ₽
Модуль MOSFET транзистора D4184 (силовой ключ)
Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36..
80 ₽
Транзистор FJP13007 (NPN, 8А, 400В)
Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..
27.7 ₽
Транзистор TIP42C (PNP, -6А, -100В)
Характеристики:Структура транзистора: PNPМакс. напр. к-б при заданном обрат..
22.2 ₽
Модуль MOSFET транзистора D4184 (силовой ключ) с опторазвязкой
Модуль на базе MOSFET транзистора D4184 с опторазвязкой PC817. Отлично упра..
120 ₽
Модуль MOSFET транзистора LR7843 (силовой ключ) с опторазвязкой
Модуль на базе MOSFET транзистора LR7843 с опторазвязкой PC817. Отлично упр..
120 ₽
Модуль MOSFET транзистора FR120N (силовой ключ) с опторазвязкой
Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично упр..
120 ₽
Транзистор SGSF441SGS (NPN, 10А, 400В)
Характеристики:Корпус: TO-218Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощно..
102 ₽
Транзистор TIP122 (NPN, 5А, 100В)
Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..
27.7 ₽
Транзистор TIP120 (NPN, 5А, 60В)
Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..
27.7 ₽
Транзистор TIP41C (NPN, -6А, -100В)
Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..
27.7 ₽
Транзистор TIP111 (NPN, 2А, 80В)
Надежный NPN транзистор производства STMicroelectronics.Характеристики..
27.7 ₽
Транзистор BUW90 (NPN, 20А, 125В)
Характеристики:Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мо..
78.2 ₽
Транзистор 2SD1398 (NPN, 5А, 800В)
Характеристики:Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мо..
78.2 ₽
Транзистор TIP141 (NPN, 10А, 80В)
Надежный NPN транзистор производства STMicroelectronics.Характеристики..
134 ₽
Транзистор BD242A (PNP, 3А, 60В)
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60..
40 ₽
Тиристор 2N6399G (800В 12А 30мА)
2N6399G, Тиристор, 800 В, 30 мА, 12 А, TO-220Характеристики:Количество Выво..
129 ₽
Модуль MOSFET транзистора IRF540 4-х канальный
Модуль 4-х полевых транзисторов IRF540 предназначен для управления 4 н..
240 ₽