Доставка OZON: более 7000 пунктов выдачи Доставка СДЭК: более 2500 пунктов выдачи

Транзистор MOSFET SI2301DS (p-канал, -4.7А, -20В)

Артикул: 1000771

8.82 ₽ Нашли дешевле?
10 или более: 6.19 ₽
100 или более: 4.97 ₽
1000 или более: 3.73 ₽

В наличии: Нет в наличии

Быстрый заказ

0 отзывов / Написать отзыв

MOSFET транзистор SI2301DS.

Характеристики:

Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток: -20 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 А
Максимальное напряжение затвор-исток: ±8 В
Сопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОм
Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 Вт
Крутизна характеристики: 6.5 S
Корпус: sot23
Пороговое напряжение на затворе: -0.95 В

Si230DS datasheet 61.89KB

Написать отзыв

Ваше имя:

Ваш отзыв:

Оценка: Плохо Хорошо

Рекомендуемые товары

Модуль MOSFET транзистора IRF520 (силовой ключ)

Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИ..

66 ₽

Транзистор 2SC5707 (NPN, 8А, 50В)

Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..

27.7 ₽

Модуль MOSFET транзистора D4184 (силовой ключ)

Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36..

80 ₽

Транзистор FJP13007 (NPN, 8А, 400В)

Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..

27.7 ₽

Транзистор TIP42C (PNP, -6А, -100В)

Характеристики:Структура транзистора: PNPМакс. напр. к-б при заданном обрат..

22.2 ₽

Модуль MOSFET транзистора D4184 (силовой ключ) с опторазвязкой

Модуль на базе MOSFET транзистора D4184 с опторазвязкой PC817. Отлично упра..

120 ₽

Модуль MOSFET транзистора LR7843 (силовой ключ) с опторазвязкой

Модуль на базе MOSFET транзистора LR7843 с опторазвязкой PC817. Отлично упр..

120 ₽

Модуль MOSFET транзистора FR120N (силовой ключ) с опторазвязкой

Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично упр..

120 ₽

Транзистор SGSF441SGS (NPN, 10А, 400В)

Характеристики:Корпус: TO-218Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощно..

102 ₽

Транзистор TIP122 (NPN, 5А, 100В)

Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..

27.7 ₽

Транзистор TIP120 (NPN, 5А, 60В)

Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..

27.7 ₽

Транзистор TIP41C (NPN, -6А, -100В)

Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обрат..

27.7 ₽

Транзистор TIP111 (NPN, 2А, 80В)

Надежный NPN транзистор производства STMicroelectronics.Характеристики..

27.7 ₽

Транзистор BUW90 (NPN, 20А, 125В)

Характеристики:Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мо..

78.2 ₽

Транзистор 2SD1398 (NPN, 5А, 800В)

Характеристики:Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мо..

78.2 ₽

Транзистор TIP141 (NPN, 10А, 80В)

Надежный NPN транзистор производства STMicroelectronics.Характеристики..

134 ₽

Транзистор BD242A (PNP, 3А, 60В)

Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60..

40 ₽

Тиристор 2N6399G (800В 12А 30мА)

2N6399G, Тиристор, 800 В, 30 мА, 12 А, TO-220Характеристики:Количество Выво..

129 ₽

Модуль MOSFET транзистора IRF540 4-х канальный

Модуль 4-х полевых транзисторов IRF540 предназначен для управления 4 н..

240 ₽

транзистор